5秒后页面跳转
IPP020N08N5 PDF预览

IPP020N08N5

更新时间: 2024-09-13 19:42:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1347K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

IPP020N08N5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.69
雪崩能效等级(Eas):1228 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (ID):120 A最大漏源导通电阻:0.002 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):480 A
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP020N08N5 数据手册

 浏览型号IPP020N08N5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP020N08N5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP020N08N5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP020N08N5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP020N08N5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP020N08N5的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET  
MetalꢀOxideꢀSemiconductorꢀFieldꢀEffectꢀTransistor  
OptiMOSTM  
OptiMOSª5ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV  
IPP020N08N5  
DataꢀSheet  
Rev.ꢀ2.1  
Final  
PowerꢀManagementꢀ&ꢀMultimarket  

与IPP020N08N5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP020N08N5AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP022N12NM6 INFINEON

获取价格

This is a normal level 120 V MOSFET in?TO-220
IPP023N04N G INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和
IPP023N04NG INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP023N04NGXKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP023N08N5 INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET, especially desi
IPP023N08N5AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP023N10N5 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP023N10N5AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IPP023NE7N3 G INFINEON

获取价格

75V OptiMOS?技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术,这些75V产品同时具