IPP015N04NG

更新时间： 2024-10-14 11:08:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
10页	339K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPP015N04NG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	雪崩能效等级（Eas）：	865 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0015 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPP015N04NG 数据手册

Type

IPP015N04N G

IPB015N04N G

OptiMOS™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

1.5

120

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 100% Avalanche tested

• Pb-free plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB015N04N G

IPP015N04N G

Package

Marking

PG-TO263-3

015N04N

PG-TO220-3

015N04N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

_GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

120

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

400

100

865

±20

Avalanche current, single pulse³⁾

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

T _C=25 °C

E _AS

V _GS

I _D=100 A, R _GS=25 Ω

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3 for more detailed information

³⁾See figure 13 for more detailed information

Rev. 2.2

page 1

2009-11-16

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

IPP015N04NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPP015N04NGXKSA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPP015N04NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPP015N04NGHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP015N04NGXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP016N06NF2S	INFINEON	获取价格	英飞凌 StrongIRFET? 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 1.6 mΩ
IPP016N08NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPP018N10N5	INFINEON	获取价格	The IPP018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 powe
IPP019N06NF2S	INFINEON	获取价格	英飞凌 StrongIRFET™ 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 1.9 mΩ
IPP019N08NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a
IPP020N06N	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPP020N08N5	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP020N08N5AKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPP015N04NG相关文章

意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

9
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

13
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

14
晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
2024-10-08

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP015N04NG

IPP015N04NG 技术参数

IPP015N04NG 数据手册

IPP015N04NG 替代型号

与IPP015N04NG相关器件

与IPP015N04NG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPP015N04NG

IPP015N04NG 技术参数

IPP015N04NG 数据手册

IPP015N04NG 替代型号

与IPP015N04NG相关器件

与IPP015N04NG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？