5秒后页面跳转
IPP016N06NF2S PDF预览

IPP016N06NF2S

更新时间: 2024-10-15 14:54:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关
页数 文件大小 规格书
11页 995K
描述
英飞凌 StrongIRFET? 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 1.6 mΩ 的极低 RDS(on),可用于从低到高开关频率的各类应用。

IPP016N06NF2S 数据手册

 浏览型号IPP016N06NF2S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP016N06NF2S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP016N06NF2S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP016N06NF2S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP016N06NF2S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP016N06NF2S的Datasheet PDF文件第7页 
IPP016N06NF2S  
MOSFET  
StrongIRFETTM2ꢀPower-Transistor  
PG-TO220-3  
tab  
Features  
•ꢀOptimizedꢀforꢀwideꢀrangeꢀofꢀapplications  
•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel  
•ꢀ100%ꢀavalancheꢀtested  
•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant  
•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21  
Productꢀvalidation  
QualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀStandard  
Drain  
Pin 2, Tab  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
Unit  
Gate  
Pin 1  
VDS  
60  
V
RDS(on),max  
ID  
1.6  
m  
A
Source  
Pin 3  
194  
153  
155  
Qoss  
nC  
nC  
QG (0V..10V)  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPP016N06NF2S  
PG-TO220-3  
016N06NS  
-
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2022-05-16  

与IPP016N06NF2S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP016N08NF2S INFINEON

获取价格

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPP018N10N5 INFINEON

获取价格

The IPP018N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 powe
IPP019N06NF2S INFINEON

获取价格

英飞凌 StrongIRFET™ 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 1.9 mΩ
IPP019N08NF2S INFINEON

获取价格

Infineon's StrongIRFET? 2?power MOSFET?80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a
IPP020N06N INFINEON

获取价格

New OptiMOS™ 40V and 60V
IPP020N08N5 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP020N08N5AKSA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP022N12NM6 INFINEON

获取价格

This is a normal level 120 V MOSFET in?TO-220
IPP023N04N G INFINEON

获取价格

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和
IPP023N04NG INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor