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IPP015N04NGHKSA1

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 670K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP015N04NGHKSA1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：865 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：120 A最大漏源导通电阻：0.0015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP015N04NGHKSA1 数据手册

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与IPP015N04NGHKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP015N04NGXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP016N06NF2S INFINEON

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 		英飞凌 StrongIRFET? 2 60 V 功率 MOSFET 具备仅为 1.6 mΩ
IPP016N08NF2S INFINEON

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 		Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f
IPP018N10N5 INFINEON

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IPP020N08N5 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP020N08N5AKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP022N12NM6 INFINEON

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 		This is a normal level 120 V MOSFET in?TO-220

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