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IPD075N03LGHF

更新时间： 2024-11-26 05:25:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1189K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD075N03LGHF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.0114 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD075N03LGHF 数据手册

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与IPD075N03LGHF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD075N03LGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD079N06L3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPD079N06L3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
IPD079N06L3GBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD07N03L	INFINEON	获取价格	OptiMOS Buck converter series
IPD082N10N3 G	INFINEON	获取价格	英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM
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IPD082N10N3GATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPD082N10N3GBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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