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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0135 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD096N08N3 G | INFINEON |
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OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源 |
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| IPD096N08N3G | INFINEON |
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OptiMOS(TM)3 Power-Transistor |
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| IPD09N03L | INFINEON |
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OptiMOS Buck converter series |
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| IPD09N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPD09N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD09N03LAGBUMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0148ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD09N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD100N04S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD100N04S402ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD100N04S4L-02 | INFINEON |
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车规级MOSFET |
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