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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | PLASTIC, TO-252, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0148 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD09N03LAG | INFINEON |
类似代替  |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD09N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPD09N03LAGBUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0148ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD09N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPD100N04S4-02 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD100N04S402ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD100N04S4L-02 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
|
| IPD100N06S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD100N06S403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPD1-02-D | SAMTEC |
获取价格 |
POWER HOUSING MINI MATE |
|
| IPD1-02-DCC79L2024-01-S | SAMTEC |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, ROHS COMPLIANT |
|
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