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IPD100N06S4-03

更新时间: 2024-11-18 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 164K
描述
OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPD100N06S4-03 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.72Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级(Eas):300 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):100 A
最大漏极电流 (ID):100 A最大漏源导通电阻:0.0035 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPD100N06S4-03 数据手册

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IPD100N06S4-03  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
60  
3.5  
100  
V
R DS(on),max  
I D  
m  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green Product (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
• Ultra Low RDSon  
• Ultra High ID  
Type  
Package  
Marking  
IPD100N06S4-03  
PG-TO252-3-11 4N0603  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25°C, VGS=10V  
100  
A
T C=100°C, VGS=10V2)  
100  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25°C  
400  
300  
Avalanche energy, single pulse2)  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
I D=50A  
mJ  
A
-
100  
VGS  
Ptot  
-
±20  
V
T C=25°C  
Power dissipation  
150  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2010-02-11  

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