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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 75 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0148 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD09N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD100N04S4-02 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPD100N04S402ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD100N04S4L-02 | INFINEON |
获取价格 |
车规级MOSFET |
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| IPD100N06S4-03 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPD100N06S403ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPD1-02-D | SAMTEC |
获取价格 |
POWER HOUSING MINI MATE |
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| IPD1-02-DCC79L2024-01-S | SAMTEC |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, ROHS COMPLIANT |
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| IPD1-02-DCC79L2630-01-S | SAMTEC |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, ROHS COMPLIANT |
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| IPD1-02-DCC79R2024-01-S | SAMTEC |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Female, IDC Terminal, ROHS COMPLIANT |
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