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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | GREEN, PLASTIC, DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.69 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0082 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD068P03L3GATMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD082N10N3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IPD088N04LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
|
| IPD088N06N3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器 |
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| IPD088N06N3 G | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
|
| IPD088N06N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor |
|
| IPD088N06N3GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD090N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit |
|
| IPD090N03L G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成 |
|
| IPD090N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit |
|
| IPD090N03LG_10 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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