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IPD090N03LGATMA1

更新时间： 2024-11-18 19:59:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1347K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD090N03LGATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：0.88
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD090N03LGATMA1 数据手册

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IPD090N03LGATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD090N03LG INFINEON

完全替代

 OptiMOS®3 Power-Transistor Features Fast swit
IPD090N03L G INFINEON

类似代替

 极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
IRLR8729TRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET Power MOSFET

与IPD090N03LGATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD090N03LGE8177 INFINEON

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 		OptiMOS?3 Power-Transistor
IPD096N08N3 G INFINEON

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 		OptiMOS? 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPD096N08N3G INFINEON

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IPD09N03LAGBUMA1 INFINEON

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IPD09N03LBG INFINEON

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IPD100N04S4-02 INFINEON

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IPD100N04S402ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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