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IPD088N06N3 G

更新时间： 2024-05-23 22:23:12

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
8页	476K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:50A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:8.8mΩ@10V

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IPD088N06N3 G 数据手册

088N06N

60V N-Channel MOSFET

UMW

Features

Deal for high frequency switching

•

Optimized technology for DC / DC converters

Excellent gate charge x RDS ( on ) product ( FOM )

Very low on-resistance RDS ( on )

•

Product Summary

•

V_DS(V) = 60V

•

I_D= 50A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 8.8mΩ (V _GS= 10V)

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise specified)

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www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

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