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IPD079N06L3G

更新时间: 2024-10-30 11:08:43
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 216K
描述
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

IPD079N06L3G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-252AA
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.3Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):43 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A
最大漏极电流 (ID):50 A最大漏源导通电阻:0.0079 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):79 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPD079N06L3G 数据手册

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IPD079N06L3 G  
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
60  
7.9  
50  
V
• Ideal for high frequency switching and sync. rec.  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
R DS(on),max  
I D  
m  
A
• N-channel, logic level  
• 100% avalanche tested  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
Type  
IPD079N06L3 G  
Package  
Marking  
PG-TO-252-3  
079N06L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
T C=25 °C2)  
I D  
Continuous drain current  
50  
50  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current3)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
200  
Avalanche energy, single pulse4)  
I D=50 A, R GS=25 Ω  
43  
mJ  
V
V GS  
Gate source voltage  
±20  
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
79  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
1)J-STD20 and JESD22  
2) Current is limited by bondwire; with anR thJC=1.9 K/W the chip is able to carry 74 A.  
3) See figure 3 for more detailed information  
4) See figure 13 for more detailed information  
Rev. 2.0  
page 1  
2008-12-09  

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