是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.3 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 43 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A |
最大漏极电流 (ID): | 50 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0079 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 79 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD079N06L3GBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD07N03L | INFINEON |
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OptiMOS Buck converter series | |
IPD082N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM | |
IPD082N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | |
IPD082N10N3G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
IPD082N10N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPD082N10N3GBTMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPD082N10N3GXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPD088N04LG | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPD088N06N3 G | INFINEON |
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OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器 |