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IPD082N10N3G

更新时间： 2024-10-15 17:15:19

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
8页	477K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:80A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:8.2mΩ@10V

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IPD082N10N3G 数据手册

082N10N

100V N-Channel MOSFET

UMW

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

100V

• V_DS

• I (at V =10V)=80A

• R

(at V =10V) < 8.2mΩ

DS(ON)

=25 °C, unless otherwise specified

Maximum ratings,at T _j

Parameter

Value

Symbol Conditions

Unit

_C=25 °C²⁾

Continuous drain current

I _D

_C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

_C=25 °C

I _D,pulse

E_AS

320

_D=73 A, R _GS=25 W

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

110

V_GS

P_tot

±20

_C=25 °C

Power dissipation

125

°C

T _j,

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

stg

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7 8

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