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IPD082N10N3G

更新时间： 2024-11-22 11:08:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体栅极晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	476K
描述
OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

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IPD082N10N3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.28	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.0082 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD082N10N3G 数据手册

IPP086N10N3 G

IPI086N10N3 G

IPB083N10N3 G IPD082N10N3 G

OptiMOS^™3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

8.2

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO 252)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

• Halogen-free according to IEC61249-2-21 *

Type

IPP086N10N3 G

IPI086N10N3 G

IPB083N10N3 G

IPD082N10N3 G

Package

Marking

PG-TO220-3

086N10N

PG-TO262-3

086N10N

PG-TO263-3

083N10N

PG-TO252-3

082N10N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

320

I _D=73 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

110

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

125

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3

* Excep D-PAK ( TO-252-3 )

Rev. 2.5

page 1

2010-07-16

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IPD082N10N3GBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPD082N10N3GXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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