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IPD042P03L3GATMA1

更新时间： 2024-09-10 21:19:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 606K
描述
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPD042P03L3GATMA1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：26 weeks
风险等级：1.52其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：269 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.0068 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD042P03L3GATMA1 数据手册

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IPD042P03L3 G  
OptiMOSTM P3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
-30  
4.2  
6.8  
-70  
V
• single P-Channel (Logic Level)  
VGS = 10V  
VGS = 4.5V  
RDS(on),max  
mW  
• Enhancement mode  
• Qualified according JEDEC1) for target applications  
ID  
A
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free; RoHS compliant  
• applications: load switch, HS-switch  
• Halogen-free according to IEC61249-2-21  
PG-TO252-3  
D
S
G
Type  
Package  
Marking  
Lead free  
Packing  
IPD042P03L3 G  
PG-TO252-3  
042P03L  
Yes  
non dry  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C2)  
-70  
-70  
Continuous drain current  
A
I D,pulse  
EAS  
-280  
Pulsed drain current  
269  
I D=-70 A, R GS=25 W  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C =25 °C  
150  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
-55 ... 175  
Operating and storage temperature  
ESD class  
class 2 ( 2 kV - < 4 kV)  
JESD22-A114 HBM  
260  
Soldering temperature  
°C  
55/175/56  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
1) J-STD20 and JESD22  
Rev. 2.2  
page 1  
2014-05-16  
1234567...9

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IPD042P03L3GATMA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPD042P03L3 G INFINEON

类似代替

 Infineon’s highly innovative OptiMOS™ familie
IPD068P03L3GATMA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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