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IPD050N03LGATMA1

更新时间： 2024-11-19 17:15:31

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
8页	512K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:50A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:5mΩ@10V;漏源导通电阻:7.3mΩ@4.5V

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IPD050N03LGATMA1 数据手册

050N03L

30V N-Channel MOSFET

UMW

Features

•

V_DS(V) = 30V

I_D=50A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)<5mΩ (V _GS= 10V)

R_DS(ON)<7.3mΩ (V _GS= 4.5V)

•

Maximum ratings,at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

V_GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

I _D

V_GS=10 V, T _C=100 °C

V_GS=4.5 V, T _C=25 °C

V_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

T _C=25 °C

I _D,pulse

I _AS

350

Avalanche current, single pulse³⁾

Avalanche energy, single pulse

T _C=25 °C

E_AS

I _D=35 A, R _GS=25 W

I _D=50 A, V_DS=24 V,

di/dt =200 A/µs,

T _j,max=175 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

Gate source voltage

V_GS

±20

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7 8

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