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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.51 | 雪崩能效等级（Eas）： | 190 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0053 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IPD042P03L3GATMA1 | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD055N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?80 V features low RDS(on)?of 5.5 mOhm, addressing |
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| IPD05N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPD05N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD05N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPD05N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD060N03L G | INFINEON |
获取价格 |
极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| IPD060N03LG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast swit |
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| IPD060N03LG | UMW |
获取价格 |
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IPD068N10N3 G | INFINEON |
获取价格 |
英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPD068N10N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor |
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