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IPD060N03LG

更新时间： 2024-05-23 22:23:29

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
8页	456K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:50A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:6mΩ@10V;漏源导通电阻:9mΩ@4.5V

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IPD060N03LG 数据手册

UMW

IPD060N03L

30V N-Channel MOSFET

Features

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Avalanche rated

• Pb-free plating

Product Summary

V_DS(V) = 30V

I^D= 50A (V^GS= 10V)

R_DS(ON)<6mΩ (V_GS= 10V)

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

_GS=10 V, T _C=100 °C

Continuous drain current

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

Avalanche current, single pulse³⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

350

T _C=25 °C

E _AS

I _D=20 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

±20

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7 8

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