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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 26 weeks |
| 风险等级： | 1.71 | 雪崩能效等级（Eas）： | 130 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0068 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD068N10N3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPD068P03L3 G | INFINEON |
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Infineon’s highly innovative OptiMOS? familie |
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| IPD068P03L3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOSTM P3 Power-Transistor |
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| IPD068P03L3G | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IPD068P03L3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IPD06N03L | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS Buck converter series |
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| IPD06N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPD06N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
|
| IPD06N03LAGBUMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPD06N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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