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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPD06N03LZG
IPD06N03LZG PDF预览

IPD06N03LZG

更新时间： 2024-09-13 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 160K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

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IPD06N03LZG 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：225 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0094 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD06N03LZG 数据手册

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IPD06N03L  
OptiMOS Buck converter series  
Product Summary  
Feature  
V
30  
5.9  
50  
V
DS  
• N-Channel  
R
mΩ  
A
DS(on)  
• Logic Level  
I
D
• Low On-Resistance R  
DS(on)  
P- TO252 -3-11  
• Excellent Gate Charge x R  
product (FOM)  
DS(on)  
• Superior thermal resistance  
• 175°C operating temperature  
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
• Ideal for fast switching buck converter  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
IPD06N03L  
P- TO252 -3-11  
Q67042-S4109  
06N03L  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
1)  
T =25°C  
C
50  
50  
200  
250  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
1)  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =20A, V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
2)  
E
15  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
AR  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =50A, V =24V, di/dt=200A/µs, T  
DS  
=175°C  
jmax  
S
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
150  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-01-17  
12345678

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与IPD06N03LZG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD075N03L INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPD075N03L G INFINEON

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 		极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
IPD075N03LG INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
IPD075N03LG_10 INFINEON

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 		OptiMOS3 Power-Transistor
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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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