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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.73 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0084 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 94 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD05N03LB | INFINEON |
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OptiMOS2 Power-Transistor |
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| IPD05N03LBG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPD060N03L G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| IPD060N03LG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast swit |
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| IPD060N03LG | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IPD068N10N3 G | INFINEON |
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英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SM |
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| IPD068N10N3G | INFINEON |
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OptiMOS3 Power-Transistor |
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| IPD068N10N3G | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| IPD068N10N3GATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPD068N10N3GXT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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