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IPD053N06NATMA1

更新时间： 2024-10-30 19:59:31

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	437K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, DPAK-3

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IPD053N06NATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	Factory Lead Time：	26 weeks
风险等级：	0.87	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	45 A
最大漏源导通电阻：	0.0053 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD053N06NATMA1 数据手册

Type

IPD053N06N

OptiMOS^TMPower-Transistor

Features

Product Summary

• Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.

• 100% avalanche tested

V_DS

5.3

R_DS(on),max

I_D

• Superior thermal resistance

• N-channel

Q_OSS

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

Q_G(0V..10V)

PG-TO252-3

Type

Package

Marking

IPD053N06N

PG-TO252-3

053N06N

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

V _GS=10 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

V _GS=10 V, T _C=100 °C

V _GS=10 V, T _C=25 °C,

R _thJA=50K/W

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

180

Avalanche energy, single pulse³⁾

Gate source voltage

I _D=45 A, R _GS=25 W

V _GS

±20

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾See figure 3 for more detailed information

³⁾See figure 13 for more detailed information

⁴⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm²(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

Rev.2.2

page 1

2012-12-20

12 3 4 5 6 7...9

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IPD053N06NATMA1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD025N06N	INFINEON	类似代替	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPD053N06N	INFINEON	类似代替	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD053N08N3 G	INFINEON	获取价格	OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPD053N08N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS3 Power-Transistor
IPD053N08N3GBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD055N08NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?80 V features low RDS(on)?of 5.5 mOhm, addressing
IPD05N03LA	INFINEON	获取价格	OptiMOS 2 Power-Transistor
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IPD060N03L G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
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