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IPD050N03LGXT PDF预览

IPD050N03LGXT

更新时间： 2024-09-11 10:05:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 1000K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN

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IPD050N03LGXT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.0073 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD050N03LGXT 数据手册

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IPD050N03L G  
IPS050N03L G  
IPF050N03L G  
IPU050N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
30  
5
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
RDS(on),max  
ID  
mW  
A
50  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPD050N03L G  
IPF050N03L G  
IPS050N03L G  
IPU050N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3-11  
050N03L  
PG-TO252-3-23  
050N03L  
PG-TO251-3-11  
050N03L  
PG-TO251-3-21  
050N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
50  
50  
A
V GS=10 V, T C=100 °C  
V GS=4.5 V, T C=25 °C  
V GS=4.5 V,  
T C=100 °C  
50  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
Avalanche energy, single pulse  
T C=25 °C  
E AS  
I D=35 A, R GS=25 W  
60  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
T j,max=175 °C  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.0  
page 1  
2013-10-28  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPD050N10N5 INFINEON

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 		英飞凌的OptiMOS?5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专为通信模块中
IPD050N10N5ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD052N10NF2S INFINEON

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 		Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?100 V features low RDS(on)?of 5.2 mOhm, addressing
IPD053N06N INFINEON

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 		New OptiMOS™ 40V and 60V
IPD053N06N3G INFINEON

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 		OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
IPD053N06N3GBTMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD053N06NATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD053N08N3 G INFINEON

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 		OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者，适用于发电（例如太阳能微逆变器）、电源
IPD053N08N3G INFINEON

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 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPD053N08N3GBTMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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