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IPD050N03LG

更新时间： 2024-09-10 05:39:23

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英飞凌 - INFINEON		转换器开关
页数	文件大小	规格书
12页	631K
描述
Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters

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IPD050N03LG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.67
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.0073 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	68 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPD050N03LG 数据手册

Type

IPD050N03L G

IPS050N03L G

IPF050N03L G

IPU050N03L G

OptiMOS^®3 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

• Fast switching MOSFET for SMPS

• Optimized technology for DC/DC converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

R _DS(on),max

I _D

mΩ

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Avalanche rated

• Pb-free plating; RoHS compliant

Type

IPD050N03L G

IPF050N03L G

IPS050N03L G

IPU050N03L G

Package

Marking

PG-TO252-3-11

050N03L

PG-TO252-3-23

050N03L

PG-TO251-3-11

050N03L

PG-TO251-3-21

050N03L

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

_GS=10 V, T _C=25 °C

_GS=10 V, T _C=100 °C

_GS=4.5 V, T _C=25 °C

Continuous drain current

_GS=4.5 V,

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

I _AS

T _C=25 °C

350

Avalanche current, single pulse³⁾

T _C=25 °C

E _AS

I _D=35 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=24 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

V _GS

Gate source voltage

¹⁾J-STD20 and JESD22

±20

Rev. 1.02

page 1

2008-04-15

12 3 4 5 6 7...12

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IPD050N03LG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPB055N03LG	INFINEON	功能相似	OptiMOS?3 Power-Transistor

与IPD050N03LG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD050N03LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD050N03LGATMA1	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IPD050N03LGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD050N10N5	INFINEON	获取价格	英飞凌的OptiMOS?5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专为通信模块中
IPD050N10N5ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD052N10NF2S	INFINEON	获取价格	Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?100 V features low RDS(on)?of 5.2 mOhm, addressing
IPD053N06N	INFINEON	获取价格	New OptiMOSâ¢ 40V and 60V
IPD053N06N3G	INFINEON	获取价格	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
IPD053N06N3GBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD053N06NATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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