是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.18 |
雪崩能效等级(Eas): | 60 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 45 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0053 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPD053N06NATMA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD025N06N | INFINEON |
类似代替 |
New OptiMOS⢠40V and 60V |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD053N06N3G | INFINEON |
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OptiMOS(TM)3 Power-Transistor | |
IPD053N06N3GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD053N06NATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD053N08N3 G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源 | |
IPD053N08N3G | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS3 Power-Transistor | |
IPD053N08N3GBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPD055N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?80 V features low RDS(on)?of 5.5 mOhm, addressing | |
IPD05N03LA | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS 2 Power-Transistor | |
IPD05N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor | |
IPD05N03LB | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor |