IPD04N03LA

更新时间： 2024-09-09 22:06:31

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
OptiMOS 2 Power-Transistor

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IPD04N03LA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	PLASTIC, TO-252, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0059 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	115 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD04N03LA 数据手册

IPD04N03LA

IPU04N03LA

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

3.8

• Ideal for high-frequency dc/dc converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• N-channel

• Logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

P-TO252-3-11

P-TO251-3-21

• Very low on-resistance R _DS(on)

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

• dv /dt rated

Type

Package

Ordering Code Marking

IPD04N03LA

IPU04N03LA

P-TO252-3-11

P-TO251-3-21

Q67042-S4177

Q67042-S4198

04N03LA

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

350

890

E _AS

I _D=40 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

115

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

Rev. 1.5

page 1

2004-02-04

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD04N03LAG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD04N03LBG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD050N03L	INFINEON	获取价格	Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters
IPD050N03L G	INFINEON	获取价格	极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成
IPD050N03L_08	INFINEON	获取价格	Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters
IPD050N03LG	INFINEON	获取价格	Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters
IPD050N03LGATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD050N03LGATMA1	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IPD050N03LGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD050N10N5	INFINEON	获取价格	英飞凌的OptiMOS?5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专为通信模块中

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