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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 430 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0058 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPD050N03L | INFINEON |
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Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters |
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| IPD050N03L G | INFINEON |
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极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS? 25V 成 |
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| IPD050N03L_08 | INFINEON |
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Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters |
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| IPD050N03LG | INFINEON |
获取价格 |
Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters |
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| IPD050N03LGATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD050N03LGATMA1 | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时 |
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| IPD050N03LGXT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD050N10N5 | INFINEON |
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英飞凌的OptiMOS?5 100V功率MOSFET IPD050N10N5专为通信模块中 |
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| IPD050N10N5ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPD052N10NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET? 2??power MOSFET?100 V features low RDS(on)?of 5.2 mOhm, addressing |
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