是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.63 | 雪崩能效等级(Eas): | 260 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.4 A |
最大漏源导通电阻: | 2.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 106 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 17.6 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 ![]() |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
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STP5NK100Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 ![]() |
N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET |
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STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 ![]() |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP4N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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FQP4N80 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,3.9 A,3.6 Ω,TO-220 |
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FQP4N80J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP4N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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FQP4N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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FQP4N90C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,4 A,4.2 Ω,TO-220 |
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FQP4N90J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 900V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP4P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
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FQP4P25J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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FQP4P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
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