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FQP4N80

更新时间： 2024-11-15 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 653K
描述
800V N-Channel MOSFET

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FQP4N80 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.72
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.9 A
最大漏极电流 (ID)：3.9 A最大漏源导通电阻：3.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：130 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP4N80 数据手册

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September 2000  
TM  
QFET  
FQP4N80  
800V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
3.9A, 800V, R  
= 3.6Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 19 nC)  
Low Crss ( typical 8.6 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
3 5  
"
!
G
"
TO-220  
FQP Series  
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP4N80  
800  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
3.9  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.47  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
15.6  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
460  
mJ  
A
3.9  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
13  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
130  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.04  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.96  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, September 2000  
12345678

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FQP4N80 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
SPA04N80C3 INFINEON

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 Cool MOS⑩ Power Transistor
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQP4N80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP4N80J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP4N90 FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
FQP4N90C FAIRCHILD

获取价格

 		900V N-Channel MOSFET
FQP4N90C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220
FQP4N90J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 900V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP4P25 FAIRCHILD

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 		250V P-Channel MOSFET
FQP4P25J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		400V P-Channel MOSFET
FQP4P40 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-3.5 A，3.1 Ω，TO-2
FQP4P40J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 400V, 3.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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