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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 570 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP4P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
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| FQP4P25J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FQP4P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
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| FQP4P40 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-3.5 A，3.1 Ω，TO-2 |
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| FQP4P40J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 400V, 3.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| FQP50N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQP50N06 | TGS |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQP50N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，50 A，22 mΩ，TO-220 |
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| FQP50N06J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP50N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，52.4 A，21 mΩ，T |
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