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FQP4P25

更新时间： 2024-09-07 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 571K
描述
250V P-Channel MOSFET

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FQP4P25 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：280 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：2.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP4P25 数据手册

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December 2000  
TM  
QFET  
FQP4P25  
250V P-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
-4.0A, -250V, R  
= 2.1Ω @V = -10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 10.3 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
This advanced technology is especially tailored to minimize  
on-state  
resistance,  
provide  
superior  
switching  
performance, and withstand a high energy pulse in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
well suited for high efficiency switching DC/DC converters.  
S
!
●
●
G!  
▶
▲
●
G
D
TO-220  
S
!
D
FQP Series  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP4P25  
-250  
-4.0  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
-2.53  
-16  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
280  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
-4.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
-5.5  
75  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.6  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.67  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A2, December 2000  
12345678

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与FQP4P25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP4P25J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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FQP4P40J69Z FAIRCHILD

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