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FQP4N90

更新时间： 2024-09-07 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 636K
描述
900V N-Channel MOSFET

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FQP4N90 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：570 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.2 A最大漏极电流 (ID)：4.2 A
最大漏源导通电阻：3.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：140 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16.8 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP4N90 数据手册

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October 2001  
TM  
QFET  
FQP4N90  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
4.2A, 900V, R  
= 3.3 Ω @ V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typically 24 nC)  
Low Crss ( typically 9.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
G !  
"
TO-220  
IRF Series  
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP4N90  
900  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4.2  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.65  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
16.8  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
570  
mJ  
A
AS  
4.2  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
140  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.12  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.89  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.5  
--  
62.5  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, October 2001  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP4N90C FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
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