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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP4N90C
FQP4N90C PDF预览

FQP4N90C

更新时间： 2024-09-07 21:55:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 899K
描述
900V N-Channel MOSFET

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FQP4N90C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
雪崩能效等级（Eas）：570 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：4.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP4N90C 数据手册

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TM  
QFET  
FQP4N90C/FQPF4N90C  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
4A, 900V, R  
= 4.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 17nC)  
Low Crss ( typical 5.6 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP4N90C  
FQPF4N90C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
900  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4
4 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.3  
16  
2.3 *  
16 *  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
570  
4
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
140  
47  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.12  
0.38  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP4N90C  
FQPF4N90C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.89  
0.5  
2.66  
--  
θJC  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
1234567...10

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FQP4N90C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQP3N90 FAIRCHILD

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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