5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQP4N90C
FQP4N90C PDF预览

FQP4N90C

更新时间： 2024-11-15 21:55:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
10页 899K
描述
900V N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQP4N90C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.22
雪崩能效等级（Eas）：570 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：4.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP4N90C 数据手册

 浏览型号FQP4N90C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQP4N90C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQP4N90C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQP4N90C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQP4N90C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQP4N90C的Datasheet PDF文件第7页 
TM  
QFET  
FQP4N90C/FQPF4N90C  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
4A, 900V, R  
= 4.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 17nC)  
Low Crss ( typical 5.6 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP4N90C  
FQPF4N90C  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
900  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
4
4 *  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
2.3  
16  
2.3 *  
16 *  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
570  
4
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
14  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
140  
47  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.12  
0.38  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature.  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP4N90C  
FQPF4N90C  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.89  
0.5  
2.66  
--  
θJC  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, June 2003  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

FQP4N90C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQP3N90 FAIRCHILD

类似代替

 900V N-Channel MOSFET
FQP4N90C ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，4 A，4.2 Ω，TO-220
STP3NK90Z STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 900V - 4.1ohm - 3A TO-220/TO-220FP/

与FQP4N90C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP4N90J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 900V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP4P25 FAIRCHILD

获取价格

 		250V P-Channel MOSFET
FQP4P25J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 2.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FQP4P40 FAIRCHILD

获取价格

 		400V P-Channel MOSFET
FQP4P40 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-400 V，-3.5 A，3.1 Ω，TO-2
FQP4P40J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 400V, 3.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FQP50N06 FAIRCHILD

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQP50N06 TGS

获取价格

 		60V N-Channel MOSFET
FQP50N06 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，60 V，50 A，22 mΩ，TO-220
FQP50N06J69Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与FQP4N90C相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证