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FDT439NJ23Z

更新时间： 2024-09-19 15:32:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 3 PIN

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FDT439NJ23Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：6.3 A最大漏源导通电阻：0.045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDT439NJ23Z 数据手册

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June 1999  
FDT439N  
N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
This N-Channel Enhancement mode field effect transistor  
is produced using Fairchild Semiconductor's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize on-  
state resistance, and provide superior switching  
performance. These products are well suited to low  
voltage, low current applications such as notebook  
computer power management, battery powered  
circuits, and DC motor control.  
• 6.3 A, 30 V. RDS(on) = 0.045 Ω @ VGS = 4.5 V  
RDS(on) = 0.058 Ω @ VGS = 2.5 V  
• Fast switching speed.  
• High power and current handling capabitlity in a  
widely used surface mount package.  
Applications  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Motor driving  
D
D
D
D
S
S
D
G
G
SOT-223  
(J23Z)  
*
S
G
D
S
G
SOT-223  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FDT439N  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
30  
V
V
A
VGSS  
8
±
(Note 1a)  
(Note 1a)  
ID  
6.3  
20  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
3
1.3  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.1  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
Thermal Characteristics  
(Note 1a)  
(Note 1)  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
42  
12  
C/W  
C/W  
θJA  
θJC  
°
°
R
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDT439N  
FDT439N  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDT439N, Rev. C  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDT439NL99Z FAIRCHILD

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 		暂无描述
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