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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.38 | 雪崩能效等级（Eas）： | 34 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 8.9 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDT86102LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 6.6 A, |
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| FDT86102LZ | ONSEMI |
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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，6.6A，28mΩ |
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| FDT86102LZ | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| FDT86106LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm |
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| FDT86106LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.2A，108mΩ |
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| FDT86113LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 3.3 A, |
|
| FDT86113LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，3.3A，100mΩ |
|
| FDT86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench MOSFET |
|
| FDT86244 | ONSEMI |
获取价格 |
150V N沟道Power Trench® MOSFET |
|
| FDT86244 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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