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FDT86246

更新时间： 2024-10-31 11:10:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 243K
描述
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，2A，236mΩ

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FDT86246 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.99
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.236 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDT86246 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel  
Shielded Gate  
POWERTRENCH)  
SOT−223  
CASE 318H  
150 V, 2 A, 236 mW  
FDT86246  
Description  
D
This N−Channel MOSFET is produced using Fairchild onsemi  
advanced PowerTrench® Process that has been optimized for  
R , switching performance and ruggedness.  
DS(on)  
G
D
S
Features  
• Max R  
• Max R  
= 236 mW at V = 10 V, I = 2 A  
DS(on)  
DS(on)  
GS  
D
= 329 mW at V = 6 V, I = 1.7 A  
GS  
D
MARKING DIAGRAM  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low R  
DS(on)  
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
Surface Mount Package  
FSAXY  
86246  
• Fast Switching Speed  
• 100% UIL Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
1
Z
XY  
86246  
= Assembly Plan Code  
= Date Code (Year & week)  
= Specific Device Code  
Typical Applications  
• Load Switch  
• Primary Switch  
ORDERING INFORMATION  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
†
Device  
Shipping  
4000 /  
Tape & Reel  
Package  
V
DS  
150  
FDT86246  
SOT−223  
(Pb−Free)  
V
GS  
Gate to Source Voltage  
20  
V
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
I
A
Drain Current −Continuous (Note 1a)  
−Pulsed  
2
D
8
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation (Note 1a)  
Power Dissipation (Note 1b)  
8
2.2  
mJ  
W
P
D
1.0  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case (Note 1)  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1a)  
Value  
12  
Unit  
R
°C/W  
θ
JC  
JA  
R
55  
θ
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2016  
1
Publication Order Number:  
September, 2022 − Rev 3  
FDT86246/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDT86246L ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，2A，228mΩ
FDT86256 FAIRCHILD

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FDT86256 ONSEMI

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FDU044AN03L FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDU0650 TOKO

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