5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDT86113LZ
FDT86113LZ PDF预览

FDT86113LZ

更新时间： 2024-09-14 11:14:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，3.3A，100mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDT86113LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.95
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.3 A最大漏极电流 (ID)：3.3 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDT86113LZ 数据手册

 浏览型号FDT86113LZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDT86113LZ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDT86113LZ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDT86113LZ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDT86113LZ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDT86113LZ的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
POWERTRENCH)  
D
100 V, 3.3 A, 100 mW  
S
D
G
FDT86113LZ  
SOT−223  
CASE 318H  
General Description  
This N−Channel logic Level MOSFET is produced using onsemi’s  
advanced POWERTRENCH process that has been special tailored to  
minimize the on−state resistance and yet maintain superior switching  
performance. G−S zener has been added to enhance ESD voltage  
level.  
MARKING DIAGRAM  
AYW  
113LZG  
G
Features  
• Max r  
• Max r  
= 100 mW at V = 10 V, I = 3.3 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
1
= 145 mW at V = 4.5 V, I = 2.7 A  
GS  
D
A
Y
W
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
• High Performance Trench Technology for Extremely Low r  
DS(on)  
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
Surface Mount Package  
113LZ = Specific Device Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
• HBM ESD Protection Level > 3 kV Typical (Note 4)  
• 100% UIL Tested  
• This Device is Pb−Free and Halide Free  
PIN ASSIGNMENT  
D
Applications  
• DC − DC Switch  
Specifications  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Ratings  
100  
20  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
V
G
S
D
I
D
−Continuous  
−Pulsed  
3.3  
A
12  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation  
T = 25°C (Note 1a)  
9
mJ  
W
AS  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 6  
of this data sheet.  
P
2.2  
D
A
T = 25°C (Note 1b)  
A
1.0  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150 °C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011  
1
Publication Order Number:  
August, 2022 − Rev. 2  
FDT86113LZ/D  
12345678

中文翻译

下载PDF

FDT86113LZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDT86113LZ FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 3.3 A,

与FDT86113LZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDT86244 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench MOSFET
FDT86244 ONSEMI

获取价格

 		150V N沟道Power Trench® MOSFET
FDT86244 KEXIN

获取价格

 		N-Channel MOSFET
FDT86246 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 2 A, 2
FDT86246 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，2A，236mΩ
FDT86246L ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，2A，228mΩ
FDT86256 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 1.2 A,
FDT86256 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，1.2A，845mΩ
FDU044AN03L FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDU0650 TOKO

获取价格

 		Fixed Inductors for Surface Mounting

与FDT86113LZ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证