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FDT86102LZ

更新时间： 2024-10-31 18:09:27

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N-Channel MOSFET

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FDT86102LZ 数据手册

SMD Type

MOSFET

N-Channel MOSFET

FDT86102LZ

Unit:mm

SOT-223

Ƶ Features

ƽ VDS (V) = 100V

6.50 0.2

3.00 0.1

ƽ ID = 6.6 A (V^GS= 20V)

ƽ R^DS(ON)˘ 28m¡ (VGS = 10V)

ƽ R^DS(ON)˘ 38m¡ (VGS = 4.5V)

0.250

2.30 (typ)

0.84 (max)

0.66 (min)

Gauge Plane

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Drain

4.60 (typ)

Ƶ Absolute Maximum Ratings Ta = 25ć

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

100

Unit

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

6.6

Power Dissipation ^1a

Power Dissipation ^1b

Single Pulse Avalanche Energy ³

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient ^1a

Thermal Resistance.Junction- to-Case ¹

Junction Temperature

TA=25ć

2.2

thJA

thJC

ć/W

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to +150

www.kexin.com.cn

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