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FDT457N PDF预览

FDT457N

更新时间： 2024-09-20 11:15:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关脉冲光电二极管晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
N 沟道增强型场效应晶体管 30V，5A，60mΩ

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FDT457N 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.76
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：4497Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223 4L-3Samacsys Released Date：2015-04-22 06:26:37
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDT457N 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Transistor, N-Channel, Field  
Effect, Enhancement Mode  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
30 V  
ꢂ
ꢃ
ꢂ
ꢄ
ꢀ
@
1
0
V
5 A  
FDT457N  
0.090 ꢀ @ 4.5 V  
General Description  
These N−Channel enhancement mode power field effect transistors  
are produced using onsemi’s proprietary, high cell density,  
DMOS technology. This very high density process is especially  
tailored to minimize on−state resistance, provide superior switching  
performance. These products are well suited to low voltage, low  
current applications such as notebook computer power management,  
battery powered circuits, and DC motor control.  
D
S
D
G
SOT−223  
CASE 318H  
Features  
• 5 A, 30 V  
MARKING DIAGRAM  
R
R
= 0.06 ꢀ @ V = 10 V  
GS  
DS(on)  
= 0.090 ꢀ @ V = 4.5 V  
DS(on)  
GS  
• High Density Cell Design for Extremely Low R  
DS(ON)  
AYW  
457G  
G
• High Power and Current Handling Capability in a Widely Used  
Surface Mount Package  
• This Device is Pb−Free  
1
A
Y
= Specific Device Code  
= Date Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Gate−Source Voltage − Continuous  
Ratings  
Unit  
V
W
= Work Week  
457 = Specific Device Code  
G
V
DSS  
V
GSS  
30  
= Pb−Free Package  
20  
V
(Note: Microdot may be in either location)  
I
D
Maximum  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
5
A
Drain Current  
16  
P
D
Maximum  
Power  
Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
3
1.3  
W
PINOUT  
1.1  
D
T , T  
Operating and Storage  
Temperature Range  
−65 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
D
S
G
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
ꢁ JA  
ꢁ JC  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
42  
°C/W  
ORDERING INFORMATION  
(Note 1a)  
R
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
12  
°C/W  
†
Device  
FDT457N  
Shipping  
Package  
4000 / Tape & Reel  
SOT−223  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1998  
1
Publication Order Number:  
September, 2022 − Rev. 4  
FDT457N/D  
123456

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FDT457N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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