5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 | 雪崩能效等级（Eas）： | 34 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.055 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 36 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDT86102LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 6.6 A, |
|
| FDT86102LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，6.6A，28mΩ |
|
| FDT86102LZ | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
| FDT86106LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 3.2 A, 108 m Ohm |
|
| FDT86106LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.2A，108mΩ |
|
| FDT86113LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 3.3 A, |
|
| FDT86113LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 Power Trench® MOSFET 100V，3.3A，100mΩ |
|
| FDT86244 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench MOSFET |
|
| FDT86244 | ONSEMI |
获取价格 |
150V N沟道Power Trench® MOSFET |
|
| FDT86244 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
