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FDT457N

更新时间： 2024-11-07 22:31:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关脉冲光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
4页	97K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDT457N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-223
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	3.69	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDT457N 数据手册

August 1998

FDT457N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild's proprietary, high

cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state resistance,

provide superior switching performance. These products are

well suited to low voltage, low current applications such as

notebook computer power management, battery powered

circuits, and DC motor control.

5 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.06 W @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.090 W @ V_GS= 4.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

SuperSOT^TM-3

SuperSOT^TM-8

SO-8

SuperSOT^TM-6

SOIC-16

SOT-223

(J23Z)

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDT457N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Maximum Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1a)

Maximum Power Dissipation

P_D

(Note 1b)

(Note 1c)

1.3

1.1

Operating and Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

* Order option J23Z for cropped center drain lead.

FDT457N Rev.C

12 3 4

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FDT457N 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDT459N	FAIRCHILD	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
STN4NF03L	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STrip
STE53NC50	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V - 0.070ohm - 53A ISOTOP PowerM

与FDT457N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDT457N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDT457NJ23Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| SOT-223
FDT457NL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDT458P	FAIRCHILD	获取价格	30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDT458P	ONSEMI	获取价格	-30V P沟道PowerTrench® MOSFET
FDT458P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
FDT459N	ONSEMI	获取价格	N 沟道增强型场效应晶体管，30V，6.5A，35mΩ
FDT459N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDT459NJ23Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 6.5A I(D) \| SOT-223
FDT459NL84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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