生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.3 A | 最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDT457N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
FDT457N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道增强型场效应晶体管 30V,5A,60mΩ | |
FDT457N | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
FDT457N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDT457NJ23Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223 | |
FDT457NL84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDT458P | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V P-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDT458P | ONSEMI |
获取价格 |
-30V P沟道PowerTrench® MOSFET | |
FDT458P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
FDT459N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道增强型场效应晶体管,30V,6.5A,35mΩ |