5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FDT439N
FDT439N PDF预览

FDT439N

更新时间： 2024-09-20 11:12:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 201K
描述
N 沟道，2.5V指定增强型场效应晶体管，30V，6.3A，45mΩ

阅读下载

中文翻译

获取价格

FDT439N 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.94外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A最大漏极电流 (ID)：6.3 A
最大漏源导通电阻：0.045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDT439N 数据手册

 浏览型号FDT439N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDT439N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDT439N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDT439N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDT439N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDT439N的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Transistor, N-Channel, Field  
Effect, Enhancement Mode,  
2.5 V Specified  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
30 V  
ꢂ
ꢃ
ꢂ
ꢄ
ꢅ
ꢀ
@
4
.
5
V
6.3 A  
0.058 ꢀ @ 2.5 V  
FDT439N  
D
General Description  
This N−Channel enhancement mode power field effect transistor  
is produced using onsemi’s proprietary, high cell density,  
DMOS technology. This very high density process is especially  
tailored to minimize on−state resistance and provide superior  
switching performance. These products are well suited to low voltage,  
low current applications such as notebook computer power  
management, battery powered circuits, and DC motor control.  
S
D
G
SOT−223  
CASE 318H  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• 6.3 A, 30 V  
R
R
= 0.045 ꢀ @ V = 4.5 V  
DS(on)  
GS  
= 0.058 ꢀ @ V = 2.5 V  
AYW  
439G  
G
DS(on)  
GS  
• Fast switching speed.  
• High power and current handling capability in a widely used surface  
1
mount package.  
• This Device is Pb−Free  
A
Y
= Specific Device Code  
= Date Code  
Applications  
W
= Work Week  
439 = Specific Device Code  
G
• DC/DC Converter  
• Load Switch  
• Motor Driving  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted)  
PINOUT  
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Ratings  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
30  
D
Gate−Source Voltage  
8
V
I
D
Drain Current  
− Continuous (Note 1a)  
− Pulsed  
6.3  
A
20  
P
D
Power  
Dissipation for  
Single Operation  
(Note 1a)  
3
1.3  
W
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.1  
D
S
G
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
R
ꢁ JA  
ꢁ JC  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
42  
°C/W  
(Note 1a)  
R
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
(Note 1)  
12  
°C/W  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 4  
FDT439N/D  
1234567

中文翻译

下载PDF

FDT439N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDT439N_NL FAIRCHILD

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439N FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor

与FDT439N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDT439N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439ND84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439NJ23Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439NL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDT439NS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT457N FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDT457N ONSEMI

获取价格

 		N 沟道增强型场效应晶体管 30V，5A，60mΩ
FDT457N KEXIN

获取价格

 		N-Channel MOSFET
FDT457N_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDT457NJ23Z ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-223

与FDT439N相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证