是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 5.66 |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 45 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 28 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0028 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | MO-240AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS8570SDC | FAIRCHILD |
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DUAL COOL⢠PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs | |
FDMS8570SDC | ONSEMI |
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25V N沟道PowerTrench® SyncFET™ | |
FDMS86101 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 49 A, 8 | |
FDMS86101 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,60A,8mΩ | |
FDMS86101_12 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 8 | |
FDMS86101A | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 8 | |
FDMS86101A | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,60A,8mΩ | |
FDMS86101DC | FAIRCHILD |
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DUAL COOL⢠PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs | |
FDMS86101DC | ONSEMI |
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N 沟道,双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET,100V,60A | |
FDMS86102LZ | FAIRCHILD |
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N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 22 A, |