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FDMS86101 PDF预览

FDMS86101

更新时间： 2024-11-14 11:12:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 500K
描述
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，60A，8mΩ

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FDMS86101 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.94
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：135 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
最大漏极电流 (ID)：12.4 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS86101 数据手册

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MOSFET - N‐Channel,  
POWERTRENCH)  
100 V, 60 A, 8 mW  
FDMS86101  
General Description  
This N−Channel MOSFET is produced using ON Semiconductor’s  
advanced POWERTRENCH process that has been especially  
www.onsemi.com  
®
tailored to minimize the on−state resistance and yet maintain superior  
switching performance.  
S
D
D
D
Features  
S
S
G
• Max r  
• Max r  
= 8 mW at V = 10 V, I = 13 A  
GS D  
= 13.5 mW at V = 6 V, I = 9.5 A  
DS(on)  
DS(on)  
GS  
D
• Advanced Package and Silicon combination for low r  
efficiency  
and high  
DS(on)  
D
• MSL1 robust package design  
• 100% UIL tested  
N-Channel MOSFET  
• 100% Rg tested  
Top  
Bottom  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
D
D
Applications  
D
D
• DC−DC Conversion  
G
S
S
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Power 56  
(PQFN8)  
CASE 483AE  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Value  
100  
20  
Unit  
V
V
DS  
GS  
V
V
MARKING DIAGRAM  
I
D
A
Continuous, T = 25°C  
60  
12.4  
200  
C
Continuous, T = 25°C (Note 1a)  
A
Pulsed  
$Y&Z&3&K  
FDMS  
86101  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy  
(Note 3)  
173  
mJ  
W
P
D
Power Dissipation:  
T
= 25°C  
104  
2.5  
C
T = 25°C (Note 1a)  
A
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
FDMS86101  
= Specific Device Code  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
December, 2020 − Rev. 5  
FDMS86101/D  
1234567

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与FDMS86101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86101_12 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 8
FDMS86101A FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 8
FDMS86101A ONSEMI

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 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，60A，8mΩ
FDMS86101DC FAIRCHILD

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FDMS86101DC ONSEMI

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FDMS86102LZ FAIRCHILD

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FDMS86103L ONSEMI

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FDMS86104 FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 16 A, 2

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