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FDMS86181 PDF预览

FDMS86181

更新时间： 2024-09-26 11:13:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 482K
描述
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，124A，4.2mΩ

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FDMS86181 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：20 weeks风险等级：1.51
雪崩能效等级（Eas）：337 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：124 A最大漏极电流 (ID)：124 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：40 pFJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：510 A表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：52 ns最大开启时间（吨）：49 ns
Base Number Matches：1

FDMS86181 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET - Power, Single  
N-Channel, Shielded Gate,  
POWERTRENCH)  
100 V, 124 A, 4.2 mW  
S
D
D
D
S
S
G
D
FDMS86181  
General Description  
N-Channel MOSFET  
This N−Channel MV MOSFET is produced using onsemi’s  
®
advanced POWERTRENCH process that incorporates Shielded  
Top  
Bottom  
S
Gate technology. This process has been optimized to minimise  
on−state resistance and yet maintain superior switching performance  
with best in class soft body diode.  
Pin 1  
S
S
G
D
Features  
D
D
D
• Shielded Gate MOSFET Technology  
Power 56  
(PQFN8)  
CASE 483AE  
• Max r  
• Max r  
• ADD  
= 4.2 mW at V = 10 V, I = 44 A  
GS D  
DS(on)  
= 12 mW at V = 6 V, I = 22 A  
DS(on)  
GS  
D
• 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers  
• Lowers switching noise/EMI  
• MSL1 robust package design  
• 100% UIL tested  
MARKING DIAGRAM  
S
S
D
D
$Y&Z&3&K  
FDMS  
86181  
• RoHS Compliant  
S
D
D
Applications  
G
• Primary DC−DC MOSFET  
• Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC  
• Motor Drive  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot  
= Specific Device Code  
• Solar  
FDMS86181  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
Symbol  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current:  
Value  
100  
20  
Unit  
V
V
DS  
V
GS  
V
I
D
A
− Continuous T = 25°C (Note 5)  
124  
78  
17  
510  
C
− Continuous T = 100°C (Note 5)  
C
− Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
− Pulsed (Note 4)  
E
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
Power Dissipation:  
337  
mJ  
W
AS  
P
D
T
= 25°C  
125  
2.5  
C
T = 25°C (Note 1a)  
A
T , T  
Operating and Storage Junction Tempera-  
ture Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
December, 2020 − Rev. 3  
FDMS86181/D  
1234567

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与FDMS86181相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMS86181E ONSEMI

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 		N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 1
FDMS86182 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100V，78A，7.2mΩ
FDMS86183 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，51 A，12.8
FDMS86200 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Power Trench® MOSFET 150 V, 49 A,
FDMS86200 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，35A，18mΩ
FDMS86200DC FAIRCHILD

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 		DUAL COOL™ PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs
FDMS86200DC ONSEMI

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 		N 沟道双 CoolTM 56 屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 150V
FDMS86201 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 120 V, 35 A, 1
FDMS86201 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 120V，49A，11.5mΩ
FDMS86202 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，120V，64A，7.2mΩ

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