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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS86102LZ
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FDMS86102LZ

更新时间： 2024-09-25 11:59:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 306K
描述
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 22 A, 25 mΩ

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FDMS86102LZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：84 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86102LZ 数据手册

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May 2011  
FDMS86102LZ  
N-Channel Power Trench® MOSFET  
100 V, 22 A, 25 mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = 10 V, ID = 7 A  
„ Max rDS(on) = 37 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5.8 A  
„ HBM ESD protection level > 6 KV typical (Note 4)  
„ 100% UIL Tested  
This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process  
that has been special tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain superior switching performance.  
G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.  
„ RoHS Compliant  
Applications  
„ DC - DC Conversion  
„ Inverter  
„ Synchronous Rectifier  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
5
6
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
D
S
S
G
7
8
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
100  
V
V
±20  
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25 °C  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
22  
37  
ID  
A
(Note 1a)  
(Note 3)  
7
-Pulsed  
40  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
84  
69  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.8  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86102Z  
FDMS86102LZ  
Power 56  
3000 units  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS86102LZ Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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