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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | QFN-8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 0.97 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1123650 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | PQFN8 5X6, 1.27P CASE 483BK ISSUE O | Samacsys Released Date： | 2019-08-22 12:31:26 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 216 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MO-240AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDMS86102LZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power Trench® MOSFET 100 V, 22 A, |
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| FDMS86102LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，22A，25mΩ |
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| FDMS86103L | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDMS86103L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，81A，8mΩ |
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| FDMS86104 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 16 A, 2 |
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| FDMS86104 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，24mΩ |
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| FDMS86105 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，26A，34mΩ |
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| FDMS86105 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 26A, 34milliohm |
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| FDMS86150 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 4 |
|
| FDMS86150 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，80A，4.85m |
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