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FDMS86163P PDF预览

FDMS86163P

更新时间： 2024-09-26 11:13:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 483K
描述
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-100V，-50A，22mΩ

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FDMS86163P 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：26 weeks风险等级：0.94
雪崩能效等级（Eas）：486 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：7.9 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-F5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS86163P 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – P-Channel,  
POWERTRENCH)  
BV  
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
−100 V  
22 mW @ −10 V  
−50 A  
-100 V, -50 A, 22 mW  
Top  
Bottom  
S
Pin 1  
G
FDMS86163P  
S
S
General Description  
D
D
This P−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced  
POWERTRENCH process that has been especially tailored to  
minimize the on−state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
D
D
Power 56  
PQFN8  
CASE 483AE  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• Max r  
• Max r  
= 22 mW at V = −10 V, I = −7.9 A  
GS D  
DS(on)  
DS(on)  
= 30 mW at V = −6 V, I = −5.9 A  
GS  
D
$Y&Z&3&K  
FDMS  
86163P  
• Very Low RDS−on Mid Voltage P−Channel Silicon Technology  
Optimised for Low Qg  
• This Product is Optimised for Fast Switching Applications  
As Well As Load Switch Applications  
• 100% UIL Tested  
• This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS  
Compliant  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Location  
= 3−Digit Date Code  
= Lot Code  
Applications  
• Active Clamp Switch  
• Load Switch  
FDMS86163P = Specific Device Code  
PIN CONNECTION  
MOSFET MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Parameter  
Symbol  
Value  
−100  
25  
Unit  
V
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
D
D
D
D
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
V
Drain Current −Continuous T = 25°C  
I
D
−50  
−7.9  
−100  
A
C
6
5
−Continuous T = 25°C (Note 1a)  
A
−Pulsed (Note 4)  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 3)  
E
AS  
486  
mJ  
W
Power Dissipation  
T
= 25°C  
P
D
104  
2.5  
C
T = 25°C (Note1a)  
A
ORDERING INFORMATION  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
FDMS86163P  
PQFN−8  
(Pb−Free)  
3000 /  
Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
October, 2021 − Rev. 3  
FDMS86163P/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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